Planar tetrakoordiniertes Silicium - Teil 2
Silicium tritt normalerweise in einer tetraedrischen Umgebung auf. Forschende der Universitäten Göttingen und Karlsruhe haben nun ein Silicium(IV)-Hydrid isoliert, in dem das Siliciumatom quadratisch-planar von vier Liganden umgeben ist – eine für vierwertiges Silicium äußerst seltene Geometrie. Die Struktur wurde durch Einkristall-Strukturanalyse und spektroskopische Methoden bestätigt. Stabilisiert wird die Verbindung durch einen trianionischen Trisamidoliganden. Dieser kann Elektronenverschiebungen während einer Reaktion unterstützen. Das Siliciumzentrum ist dabei nicht nur strukturell ungewöhnlich, sondern weist auch ein zugängliches, siliciumzentriertes Akzeptororbital auf.
Die besondere Reaktivität demonstrierten die Autoren mit 1-Fluor-4-ethinylbenzol, einem terminalen Alkin. Das Alkin addiert sich an das Siliciumzentrum und an das Ligandengerüst. Gleichzeitig wird der zuvor nichtaromatische Ligand wieder aromatisch. Diese Element-Liganden-Kooperativität ermöglicht die Bindungsaktivierung, ohne dass sich die formale Oxidationsstufe des Siliciums ändert. Die Arbeit zeigt, dass auch vierwertiges Silicium Reaktionsmuster entwickeln kann, die bisher vor allem aus der Übergangsmetallchemie bekannt waren. Das quadratisch-planare Trisamidosilan stellt eine neue Plattform zur Untersuchung ungewöhnlicher Bindungen und möglicherweise redox-neutraler Reaktionen in der Hauptgruppenchemie dar.
Link zum Artikel: : Isolation and Reactivity of a Square-Planar Trisamido Silane, Angewandte Chemie International Edition 65 (2026) e1788393, https://doi.org/10.1002/anie.1788393.
Abb. 1: Kugel-Stab-Darstellung der Verbindung Si3 aus der oben genannten Publikation, erstellt auf Grundlage des Datensatzes mit der CSD-Nummer 2514804. Das gesamte Molekül ist fehlgeordnet; die Fehlordnung ist in der Darstellung nicht berücksichtigt. Die beiden sterisch anspruchsvollen 2,5-Diisopropylphenyl-Liganden auf der linken und rechten Seite sind teilweise verdeckt dargestellt.
Abb. 2: Darstellung der Verbindung Si3 mit van-der-Waals-Radien. Der Blick zwischen die beiden sterisch anspruchsvollen 2,5-Diisopropylphenyl-Liganden veranschaulicht sehr schön die räumliche Abschirmung der Si–H-Gruppe. Die Abbildung wurde auf Grundlage des Datensatzes mit der CSD-Nummer 2514804 erstellt.
Teil 1 von "Planar tetrakoordiniertes Silicium" ist hier zu finden.



























